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前置放大制冷一体型碲镉汞红外探测器是一种基于碲镉汞材料(HgCdTe,也称 MCT)的光电敏感器件,这种材料对 2-14 μm 的中红外光谱波段光波敏感。
HPPD 型MCT 探测器包含前置放大电路,接收微弱的光信号并转换为电压信号,输出可采用直流或交流耦合方式。探测器芯片内部集成多级热电冷却器
(TEC),结合热敏电阻反馈电路将探测器元件的温度控制在零下数十度,有效降低了系统的热噪声。屏蔽铝合金外壳作为散热器,内置风扇防止热量堆积,在保证控温稳定性的同时,可减少外部环境辐射影响。另外,HPPD 型探测器将低噪声运放与 TEC 温控集成于一体,极大的方便了客户操作与使用。
不要遮挡探测器的风扇和散热片,阻碍空气流通,引起温度漂移,此时 TEC
将持续以大电流工作,影响测试结果准确性,甚至导致产品损坏。
技 术 指 标 | |
探测器材料 | 碲镉汞(MCT) |
响应波长范围 | 2 -12 μm ——注解 |
跨阻放大倍数 | 15000 V/A |
放大器带宽 | 0-100 kHz(直流耦合) 5 Hz-100 kHz(交流耦合) |
输出电压 | +5 V (直流耦合) ±2.5 V(交流耦合) |
输出阻抗 | 50 Ω |
供电电压 | +5 VDC/3A |
SMA 输出电流 | 20 mA max |
负载阻抗 | 高阻(直流耦合) 50 Ω至高阻(交流耦合) |
输出偏置电压 | 典型值 20 mV(max 45 mV) |
信号输出接口 | SMA |
工作温度范围 | 10 - 40 ℃ |
储存温度范围 | -25 - 70 ℃ |
尺寸 | 60 × 60 × 63.5 mm3 |
重量 | 0.227 kg |
注解:
1. 具体峰值响应参数,取决于选用的探测器芯片型号;
2. 探测器默认输出方式为交流耦合。
HPPD - X - X - XX - XX - XX
① ② ③ ④ ⑤
①=A | 常温(Ambient)探测器,不集成 TEC 驱动 |
①=M | 多级(Multi-stage)制冷探测器,集成 TEC 驱动(默认) |
②=A | 直流耦合输出 |
②=B | 交流耦合输出(默认) |
③=02、03… | 探测器峰值响应波长;02 表示峰值响应波长为 2 μm,03表示峰值响应波长为 3 μm… |
④=05、10… | 感光面积 05 表示感光面积为0.5*0.5 mm2,10 表示感光面积为 1*1 mm2… |
⑤=01、02… | 前置放大器增益;01 表示增益为 1 kV/A,02 表示增益为2 kV/A…(默认 15) |
例如:HPPD-M-B-08-10-10
该型号为含 TEC 温控器的多级制冷 MCT,输出交流耦合,峰值响应波长为8 μm,探测器芯片感光面为 1.0 mm2,前置运放跨阻增益为 10 kV/A。
1. 以上产品规格如有变更,恕不另行通知;
2. 有关探测器芯片参数,采购前请提前咨询。
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