非制冷型光电探测器

简要描述：HPPD系列非制冷型光电探测器是一种高灵敏度光电探测器，兼容Si（硅）、InGaAs（铟镓砷）、HgCdTe（碲镉汞，MCT）、铟砷锑等半导体光电二极管，对0.4~12um的光谱波段光波敏感。
该探测器是直流耦合输出，含低噪声、宽带宽的前置运放，探测器外壳采用全铝合金材料，即可起到屏蔽环境电磁干扰，也具备良好的散热性能。

产品型号：HPPD系列
厂商性质：生产厂家
更新时间：2025-06-20
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【产品简介】

HPPD系列非制冷型光电探测器是一种高灵敏度光电探测器，兼容Si（硅）、InGaAs（铟镓砷）、HgCdTe（碲镉汞，MCT）、铟砷锑等半导体光电二极管，对0.4~12um的光谱波段光波敏感。

该探测器直流耦合输出，含低噪声、宽带宽的前置运放，探测器外壳采用全铝合金材料，即可起到屏蔽环境电磁干扰，也具备良好的散热性能。

【HPPD系列非制冷型光电探测器·产品特点】

l兼容Si(硅）、InGaAs(铟镓砷）、碲镉汞等半导体光电二极管

l波长覆盖0.4um至2.6um（近红外）波段

l含低噪声、宽带宽的前置运放

l±12VDC电源输入，0至10V电压信号输出

l兼容Thorlabs®标准SM1（1.035″-40）螺纹

【产品参数】

探测器材料	铟镓砷、硅、碲镉汞
响应波长范围	0.4 - 12um
输出电压	±12V(Hi-Z负载)；
供电电压	±12VDC(电源适配器)；
信号输出接口	SMA
工作温度范围	10 - 40℃
储存温度范围	-25 - 70℃
尺寸	56×54.5×20.5mm³
重量	＜100g
信号带宽	DC - 1MHz
跨阻增益	15000V/A（Hi-Z 负载）；7500V/A（50Ω 负载）

HPP

【型号规格】

HPPD - A - D - X - XX - XX - XX

① ② ③ ④ ⑤ ⑥

① =A	不集成TEC驱动
② =D	直流耦合输出
③ =S；I；H；A	代表探测器材质；S=硅探测器；I代表铟镓砷探测器；H代表碲镉汞探测器；A代表铟砷锑探测器
④ =01；02；03；04依次类推	探测截止波长; 01表示截止波长为1um，02表示截止波长为2um，03表示截止波长为3um，依次类推。客户采购前需咨询。
⑤ =02,05,10,...	感光面积；02表示感光面积为0.2mm²,05表示感光面积为0.5mm²。客户采购前需咨询。
⑥ =01K, 02K, ...or 20 K	前置放大器增益，默认15K不标识。客户采购前需咨询。

例如：

HPPD-A-D-S-02-10-10K

该探测器规格为：硅探测器，一个感光面为1.0 mm2,前置放大器为直流耦合，波长2um，增益为10K的探测器

结构尺寸（单位：mm）

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