HPPD系列非制冷型光电探测器

简要描述：HPPD系列非制冷型光电探测器是一种高灵敏度光电探测器，兼容Si（硅）、InGaAs（铟镓砷）、HgCdTe（碲镉汞，MCT）、铟砷锑等半导体光电二极管，对0.4~12um的光谱波段光波敏感。
该探测器是直流耦合输出，含低噪声、宽带宽的前置运放，探测器外壳采用全铝合金材料，即可起到屏蔽环境电磁干扰，也具备良好的散热性能。

产品型号：HPPD-A-D/HPPD-S/HPPD-I
厂商性质：生产厂家
更新时间：2021-10-26
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1、产品简介

HPPD系列非制冷型光电探测器是一种高灵敏度光电探测器，兼容Si（硅）、InGaAs（铟镓砷）、HgCdTe（碲镉汞，MCT）、铟砷锑等半导体光电二极管，对0.4~12um的光谱波段光波敏感。

该探测器是直流耦合输出，含低噪声、宽带宽的前置运放，探测器外壳采用全铝合金材料，即可起到屏蔽环境电磁干扰，也具备良好的散热性能。

2、产品参数

探测器材料	铟镓砷、硅、碲镉汞
响应波长范围	0.4 - 12um ——注解1
输出电压	±12V(Hi-Z负载)； ——注解1
供电电压	±12VDC(电源适配器)； 220VAC(电源模块) ——注解1
信号输出接口	SMA
工作温度范围	10 - 40℃
储存温度范围	-25 - 70℃
尺寸	56×54.5×20.5mm³
重量	＜100g
信号带宽	DC - 1MHz
跨阻增益	15000V/A（Hi-Z 负载）；7500V/A（50Ω 负载）

注解1：具体参数根据选用不同型号的探测器芯片而不同

硅探测器：0.4-1.7um

铟镓砷探测器：0.8-1.7um/0.8-2.1um/0.8-2.6um

碲镉汞探测器：4-12um

铟砷锑探测器：4-12um

HPPD系列非制冷型光电探测器型号规格

HPPD - A - D - X - XX - XX - XX

① ② ③ ④ ⑤ ⑥

① =A	不集成TEC驱动
② =D	直流耦合输出
③ =S；I；H；A	代表探测器材质；S=硅探测器；I代表铟镓砷探测器；H代表碲镉汞探测器；A代表铟砷锑探测器
④ =01；02；03；04依次类推	探测截止波长; 01表示截止波长为1um，02表示截止波长为2um，03表示截止波长为3um，依次类推。客户采购前需咨询。
⑤ =02,05,10,...	感光面积；02表示感光面积为0.2mm²,05表示感光面积为0.5mm²。客户采购前需咨询。
⑥ =01K, 02K, ...or 20 K	前置放大器增益，默认15K不标识。客户采购前需咨询。

例如：

HPPD-A-D-S-02-10-10K

该探测器规格为：硅探测器，一个感光面为1.0 mm²,前置放大器为直流耦合，波长2um，增益为10K的探测器

注意事项：

l 以上产品规格如有变更，恕不另行通知。

l 建议在储存，运输和使用时采用合适的ESD保护措施。

结构尺寸（单位：mm）

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