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HPPD系列非制冷型光电探测器

HPPD系列非制冷型光电探测器

点击次数:216

更新日期:2021-10-26

简要描述:HPPD系列非制冷型光电探测器是一种高灵敏度光电探测器,兼容Si(硅)、InGaAs(铟镓砷)、HgCdTe(碲镉汞,MCT)、铟砷锑等半导体光电二极管,对0.4~12um的光谱波段光波敏感。
该探测器是直流耦合输出,含低噪声、宽带宽的前置运放,探测器外壳采用全铝合金材料,即可起到屏蔽环境电磁干扰,也具备良好的散热性能。

详细说明:

品牌自营品牌价格区间面议
组件类别光学元件应用领域环保,化工,农业,电子

1、产品简介

HPPD系列非制冷型光电探测器是一种高灵敏度光电探测器,兼容Si(硅)、InGaAs(铟镓砷)、HgCdTe(碲镉汞,MCT)、铟砷锑等半导体光电二极管,对0.4~12um的光谱波段光波敏感。

该探测器是直流耦合输出,含低噪声、宽带宽的前置运放,探测器外壳采用全铝合金材料,即可起到屏蔽环境电磁干扰,也具备良好的散热性能。


2、产品参数

探测器材料

铟镓砷、硅、碲镉汞

响应波长范围

0.4 - 12um ——注解1

输出电压

±12V(Hi-Z负载); ——注解1

供电电压

±12VDC(电源适配器);

220VAC(电源模块) ——注解1

信号输出接口

SMA

工作温度范围

10 - 40℃

储存温度范围

-25 - 70℃

尺寸

56×54.5×20.5mm3

重量

<100g

信号带宽

DC - 1MHz

跨阻增益

15000V/A(Hi-Z 负载);7500V/A(50Ω 负载)



注解1:具体参数根据选用不同型号的探测器芯片而不同

硅探测器:0.4-1.7um

铟镓砷探测器:0.8-1.7um/0.8-2.1um/0.8-2.6um

碲镉汞探测器:4-12um

铟砷锑探测器:4-12um


HPPD系列非制冷型光电探测器型号规格

HPPD   -  A  -  D  -  X  -  XX  -  XX -  XX

               ①    ②    ③     ④      ⑤  

① =A

不集成TEC驱动

② =D

直流耦合输出

=S;I;H;A

代表探测器材质;S=硅探测器;I代表铟镓砷探测器;H代表碲镉汞探测器;A代表铟砷锑探测器

④ =01;020304依次类推

探测截止波长; 01表示截止波长为1um,02表示截止波长为2um,03表示截止波长为3um,依次类推。客户采购前需咨询

⑤ =02,05,10,...

感光面积;02表示感光面积为0.2mm2,05表示感光面积为0.5mm2。客户采购前需咨询。

=01K, 02K, ...or 20 K

前置放大器增益,默认15K不标识。客户采购前需咨询。



例如:

HPPD-A-D-S-02-10-10K

该探测器规格为:硅探测器,一个感光面为1.0 mm2,前置放大器为直流耦合,波长2um,增益为10K的探测器

注意事项:

l 以上产品规格如有变更,恕不另行通知。

l 建议在储存,运输和使用时采用合适的ESD保护措施。


结构尺寸(单位:mm)

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