详细介绍
【产品简介】
HPPD系列非制冷型光电探测器是一种高灵敏度光电探测器,兼容Si(硅)、InGaAs(铟镓砷)、HgCdTe(碲镉汞,MCT)、铟砷锑等半导体光电二极管,对0.4~12um的光谱波段光波敏感。
该探测器直流耦合输出,含低噪声、宽带宽的前置运放,探测器外壳采用全铝合金材料,即可起到屏蔽环境电磁干扰,也具备良好的散热性能。
【HPPD系列非制冷型光电探测器·产品特点】
l兼容Si(硅)、InGaAs(铟镓砷)、碲镉汞等半导体光电二极管
l波长覆盖0.4um至2.6um(近红外)波段
l含低噪声、宽带宽的前置运放
l±12VDC电源输入,0至10V电压信号输出
l兼容Thorlabs®标准SM1(1.035″-40)螺纹
【产品参数】
探测器材料 | 铟镓砷、硅、碲镉汞 |
响应波长范围 | 0.4 - 12um |
输出电压 | ±12V(Hi-Z负载); |
供电电压 | ±12VDC(电源适配器); |
信号输出接口 | SMA |
工作温度范围 | 10 - 40℃ |
储存温度范围 | -25 - 70℃ |
尺寸 | 56×54.5×20.5mm3 |
重量 | <100g |
信号带宽 | DC - 1MHz |
跨阻增益 | 15000V/A(Hi-Z 负载);7500V/A(50Ω 负载) |
HPP
【型号规格】
HPPD - A - D - X - XX - XX - XX
① ② ③ ④ ⑤ ⑥
① =A | 不集成TEC驱动 |
② =D | 直流耦合输出 |
③ =S;I;H;A | 代表探测器材质;S=硅探测器;I代表铟镓砷探测器;H代表碲镉汞探测器;A代表铟砷锑探测器 |
④ =01;02;03;04依次类推 | 探测截止波长; 01表示截止波长为1um,02表示截止波长为2um,03表示截止波长为3um,依次类推。客户采购前需咨询。 |
⑤ =02,05,10,... | 感光面积;02表示感光面积为0.2mm2,05表示感光面积为0.5mm2。客户采购前需咨询。 |
⑥ =01K, 02K, ...or 20 K | 前置放大器增益,默认15K不标识。客户采购前需咨询。 |
例如:
HPPD-A-D-S-02-10-10K
该探测器规格为:硅探测器,一个感光面为1.0 mm2,前置放大器为直流耦合,波长2um,增益为10K的探测器
结构尺寸(单位:mm)
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